رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI80N06S405AKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI80N06S405AKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12802830
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI80N06S405AKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 60µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI80N06S4-05
SP000415632
IPI80N06S4-05-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI80N06S407AKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPI80N06S407AKSA2-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPI80N06S405AKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPI80N06S405AKSA2-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7946TR1PBF
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
IPI80N07S405AKSA1
MOSFET N-CH TO262-3
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
