رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI90R340C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI90R340C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
12801455
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI90R340C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI90R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000413726
IPI90R340C3
IPI90R340C3-DG
SP000683082
INFINFIPI90R340C3XKSA1
2156-IPI90R340C3XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI90R340C3XKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPI90R340C3XKSA2-DG
سعر الوحدة
2.51
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP20N95K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
917
DiGi رقم الجزء
STP20N95K5-DG
سعر الوحدة
3.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW60R125C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
IPL60R185C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
IPP052N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
