رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPL60R075CFD7AUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPL60R075CFD7AUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 189W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
المخزون:
2900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805131
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPL60R075CFD7AUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ CFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 760µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2721 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
189W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-VSON-4
العبوة / العلبة
4-PowerTSFN
رقم المنتج الأساسي
IPL60R075
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IPL60R075CFD7AUMA1TR
SP001617972
IPL60R075CFD7AUMA1DKR
IPL60R075CFD7
IPL60R075CFD7AUMA1CT
IPL60R075CFD7AUMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R385CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
IRF6621TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
IPD25N06S240ATMA2
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
