رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPL65R210CFDAUMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPL65R210CFDAUMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
المخزون:
12803666
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPL65R210CFDAUMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ CFD2
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
151W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-VSON-4
العبوة / العلبة
4-PowerTSFN
رقم المنتج الأساسي
IPL65R210
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IPL65R210CFDAUMA2-DG
448-IPL65R210CFDAUMA2TR
SP002050998
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2A (4 Weeks)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPL65R200CFD7AUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPL65R200CFD7AUMA1-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPB80P04P405ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
