رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPN60R360PFD7SATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPN60R360PFD7SATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
المخزون:
13573 قطع جديدة أصلية في المخزون
12810864
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPN60R360PFD7SATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™PFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
534 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-3-1
العبوة / العلبة
TO-261-3
رقم المنتج الأساسي
IPN60R
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
448-IPN60R360PFD7SATMA1CT
SP004038250
448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R360PFD7SATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
