رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPN60R600PFD7SATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPN60R600PFD7SATMA1-DG
وصف:
CONSUMER PG-SOT223-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
12965044
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPN60R600PFD7SATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ PFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 80µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
344 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
IPN60R
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
448-IPN60R600PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R600PFD7SATMA1TR
SP005353997
448-IPN60R600PFD7SATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK370A60F,S4X(S
MOSFET N-CH
PJA3416AE_R1_00001
SOT-23, MOSFET
BSS123_R1_00001
SOT-23, MOSFET