رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPN80R1K4P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
المخزون:
1921 قطع جديدة أصلية في المخزون
12859080
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPN80R1K4P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 70µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
IPN80R1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-IPN80R1K4P7ATMA1
IFEINFIPN80R1K4P7ATMA1
SP001657528
IPN80R1K4P7ATMA1DKR
IPN80R1K4P7ATMA1CT
IPN80R1K4P7ATMA1TR
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD14N03RG
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
NTD20N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD23N03RT4
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK