رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPN80R750P7ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPN80R750P7ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
المخزون:
3428 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803756
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPN80R750P7ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
7.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
IPN80R750
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IPN80R750P7ATMA1TR
IPN80R750P7ATMA1CT
IPN80R750P7ATMA1DKR
IFEINFIPN80R750P7ATMA1
2156-IPN80R750P7ATMA1
IPN80R750P7ATMA1-DG
SP001665002
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
IRF7534D1TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
IPA90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
