رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP014N06NF2SAKMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP014N06NF2SAKMA2-DG
وصف:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 198A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
المخزون:
289 قطع جديدة أصلية في المخزون
13001125
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP014N06NF2SAKMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
StrongIRFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
39A (Ta), 198A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.3V @ 246µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13800 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-U05
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP005742469
448-IPP014N06NF2SAKMA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6020YNZ4C13
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
