رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP03N03LA
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP03N03LA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
12804952
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP03N03LA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7027 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP03N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPP03N03LAXTIN-DG
IPP03N03LAX
SP000014035
IPP03N03LAIN
IPP03N03LAIN-NDR
IPP03N03LAXTIN
IPP03N03LAXTIN-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLB8743PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2204
DiGi رقم الجزء
IRLB8743PBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP105N3LL
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
728
DiGi رقم الجزء
STP105N3LL-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
IRF7455TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
IRLU8203PBF
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
