رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP055N08NF2SAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP055N08NF2SAKMA1-DG
وصف:
TRENCH 40<-<100V
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 18.5A (Ta), 99A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
373 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950958
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP055N08NF2SAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
StrongIRFET™ 2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18.5A (Ta), 99A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 55µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP055M
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP005548846
2156-IPP055N08NF2SAKMA1
448-IPP055N08NF2SAKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP040N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
IPP024N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V