رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP120P04P4L03AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
686 قطع جديدة أصلية في المخزون
12928907
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP120P04P4L03AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 340µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP002581210
448-IPP120P04P4L03AKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTR3161NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT23-3
JANTX2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
AOD9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO252
