الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP50R350CPXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP50R350CPXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 550 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12805502
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP50R350CPXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
550 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 370µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1020 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP50R
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPP50R350CP
مخططات البيانات
IPP50R350CPXKSA1
ورقة بيانات HTML
IPP50R350CPXKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPP50R350CPXKSA1
ROCINFIPP50R350CPXKSA1
IPP50R350CPXK
IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
SP000680940
IPP50R350CPIN-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP15NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
STP15NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBC30APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1483
DiGi رقم الجزء
IRFBC30APBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP14NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
964
DiGi رقم الجزء
STP14NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.77
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
8724
DiGi رقم الجزء
STD13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLZ44NSTRR
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
IRF6714MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
SPU30P06P
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3