رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP530N15N3GXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP530N15N3GXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12801438
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP530N15N3GXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 35µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
887 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP530N15N3G
IPP530N15N3 G-DG
IPP530N15N3 G
SP000521722
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP2572
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
295
DiGi رقم الجزء
FDP2572-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFB5615PBFXKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFB5615PBFXKMA1-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPP037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPC60R190E6X7SA1
MOSFET N-CH
