رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP60R090CFD7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP60R090CFD7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
476 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802982
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP60R090CFD7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 570µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2103 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP60R090
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001686050
2156-IPP60R090CFD7XKSA1
IFEINFIPP60R090CFD7XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPA60R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
