رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP60R280CFD7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP60R280CFD7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
240 قطع جديدة أصلية في المخزون
12860553
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP60R280CFD7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ CFD7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 180µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
807 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP60R280
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
448-IPP60R280CFD7XKSA1
IPP60R280CFD7
IPP60R280CFD7XKSA1-DG
SP001634130
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NILMS4501NR2G
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP
FJ3303010L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
HAT2299WP-EL-E
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
