رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP60R299CPXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP60R299CPXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
12803607
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP60R299CPXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 440µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP60R299
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP60R299CP
448-IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPX
SP000084280
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN-NDR
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXKSA1-DG
IPP60R299CPXTIN-DG
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP12N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
290
DiGi رقم الجزء
IXFP12N65X2-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP13N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
312
DiGi رقم الجزء
STP13N80K5-DG
سعر الوحدة
1.60
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STP18N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
470
DiGi رقم الجزء
STP18N60M2-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP13NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
87
DiGi رقم الجزء
STP13NM60ND-DG
سعر الوحدة
1.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
IRF6726MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IPP90N06S404AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
