رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP65R099CFD7AAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP65R099CFD7AAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
38 قطع جديدة أصلية في المخزون
12945189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP65R099CFD7AAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
*
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 630µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2513 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
127W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP65R099
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-IPP65R099CFD7AAKSA1
448-IPP65R099CFD7AAKSA1
SP005324316
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW65R099CFD7AXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
194
DiGi رقم الجزء
IPW65R099CFD7AXKSA1-DG
سعر الوحدة
3.46
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IST006N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
IPT60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
