رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP65R150CFDAAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP65R150CFDAAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
480 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801333
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP65R150CFDAAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 900µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2340 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
195.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP65R150
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP000928272
ROCINFIPP65R150CFDAAKSA1
2156-IPP65R150CFDAAKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
