رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP65R190C7FKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP65R190C7FKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
499 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP65R190C7FKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 290µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1150 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
72W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP65R190
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
448-IPP65R190C7FKSA1
IPP65R190C7FKSA1-DG
SP000929426
2156-IPP65R190C7FKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
IRF7220
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
IRFR120NTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK