الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP65R660CFDXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP65R660CFDXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12803969
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP65R660CFDXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
615 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP65R
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPP65R660CFDXKSA1
ورقة بيانات HTML
IPP65R660CFDXKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPP65R660CFDXKSA1-IT
IPP65R660CFD-DG
INFINFIPP65R660CFDXKSA1
IPP65R660CFD
SP000745026
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP9N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
963
DiGi رقم الجزء
STP9N65M2-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP10N95K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1044
DiGi رقم الجزء
STP10N95K5-DG
سعر الوحدة
1.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP12NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
707
DiGi رقم الجزء
STP12NK80Z-DG
سعر الوحدة
1.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFP10N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
70
DiGi رقم الجزء
IXFP10N60P-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT7S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
373
DiGi رقم الجزء
AOT7S65L-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI80N06S407AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IRF7413Z
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IRFI4510GPBF
MOSFET N CH 100V 35A TO220
IPI60R600CPAKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3