رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP80N06S2L11AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP80N06S2L11AKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12805924
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP80N06S2L11AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 93µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2075 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
158W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
INFINFIPP80N06S2L11AKSA2
2156-IPP80N06S2L11AKSA2
SP001061296
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPP80N06S2L07AKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
204
DiGi رقم الجزء
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
سعر الوحدة
1.98
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT470
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT470-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
IRFU3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
IRLR8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
