رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP80P03P4L04AKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP80P03P4L04AKSA2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
829 قطع جديدة أصلية في المخزون
12948679
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP80P03P4L04AKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS®-P2
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 253µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+5V, -16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
137W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP80P03
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP002325792
448-IPP80P03P4L04AKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
DMNH4011SK3-13
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
