رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPQC65R017CFD7XTMA1-DG
وصف:
HIGH POWER_NEW
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
المخزون:
13373442
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPQC65R017CFD7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
136A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 3.08mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12338 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
694W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HDSOP-22
العبوة / العلبة
22-PowerBSOP Module
رقم المنتج الأساسي
IPDQ65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
750
اسماء اخرى
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPQC65R017CFD7AXTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
سعر الوحدة
13.09
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IPDQ65R017CFD7XTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
سعر الوحدة
13.19
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW