رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPS80R750P7AKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPS80R750P7AKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
12804925
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPS80R750P7AKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
51W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPS80R750
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
SP001644628
2156-IPS80R750P7AKMA1
IFEINFIPS80R750P7AKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPU80R750P7AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
IPU80R750P7AKMA1-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
IPW90R340C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
IRF7233TR
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
