رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPSA70R360P7SAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPSA70R360P7SAKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
345 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805140
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPSA70R360P7SAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.4 nC @ 400 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
517 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
59.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPSA70
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-IPSA70R360P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R360P7SAKMA1
SP001664832
IPSA70R360P7S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPS70R360P7SAKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2881
DiGi رقم الجزء
IPS70R360P7SAKMA1-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
IRL3705NLPBF
MOSFET N-CH 55V 89A TO262
IRF135B203
MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
