رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPSA70R750P7SAKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPSA70R750P7SAKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
260 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805774
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPSA70R750P7SAKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 70µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
306 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPSA70
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
2156-IPSA70R750P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R750P7SAKMA1
SP001664796
IPSA70R750P7S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPS70R360P7SAKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2881
DiGi رقم الجزء
IPS70R360P7SAKMA1-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF5805TR
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7453TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO