رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPT210N25NFDATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPT210N25NFDATMA1-DG
وصف:
MV POWER MOS
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 69A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
المخزون:
1630 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803054
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPT210N25NFDATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 267µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7000 pF @ 125 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IPT210
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
448-IPT210N25NFDATMA1CT
IPT210N25NFDATMA1-DG
448-IPT210N25NFDATMA1TR
SP001340386
448-IPT210N25NFDATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFSL7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
IRF7463PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRF6645TRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
