رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPT60R080G7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPT60R080G7XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
المخزون:
5465 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803288
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPT60R080G7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™ G7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 490µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1640 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-2
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IPT60R080
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
INFINFIPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1DKR
IPT60R080G7XTMA1CT
IPT60R080G7XTMA1TR
2156-IPT60R080G7XTMA1
SP001615904
IPT60R080G7XTMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31