رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPT65R105G7XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPT65R105G7XTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
المخزون:
16 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806103
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPT65R105G7XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 440µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1670 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-2
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IPT65R105
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IPT65R105G7XTMA1TR
IPT65R105G7XTMA1-DG
INFINFIPT65R105G7XTMA1
SP001456204
IPT65R105G7XTMA1CT
IPT65R105G7XTMA1DKR
2156-IPT65R105G7XTMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPT65R099CFD7XTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPT65R099CFD7XTMA1-DG
سعر الوحدة
2.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB100N03S203T
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
SPB100N04S2-04
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IRF6646TRPBF
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
