رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPTG063N15NM5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPTG063N15NM5ATMA1-DG
وصف:
TRENCH >=100V
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8
المخزون:
1786 قطع جديدة أصلية في المخزون
12988755
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPTG063N15NM5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.2A (Ta), 122A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.6V @ 163µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4800 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOG-8
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Gull Wing
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,800
اسماء اخرى
448-IPTG063N15NM5ATMA1CT
448-IPTG063N15NM5ATMA1DKR
SP005676956
448-IPTG063N15NM5ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
STD20NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
