رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU06N03LAGXK
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU06N03LAGXK-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
المخزون:
12802866
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU06N03LAGXK المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2653 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
P-TO251-3-1
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU06N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-DG
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGIN-DG
IPU06N03LAGXTIN-DG
IPU06N03LA
IPU06N03LAGIN
SP000017594
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLU8743PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9588
DiGi رقم الجزء
IRLU8743PBF-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
IRFR6215CPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRF2807ZSPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK