رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU80R600P7AKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU80R600P7AKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
1476 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805027
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU80R600P7AKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 170µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU80R600
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
SP001644622
2156-IPU80R600P7AKMA1
IFEINFIPU80R600P7AKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
IRF7807TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRF7821PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
