رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU95R3K7P7AKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU95R3K7P7AKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
527 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803175
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU95R3K7P7AKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
950 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
196 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
22W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU95R3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
2156-IPU95R3K7P7AKMA1
SP001792320
IFEINFIPU95R3K7P7AKMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3315LPBF
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
BTS244ZNKSA1
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3
IRFZ44NL
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
