رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW60R024P7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW60R024P7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
13276534
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW60R024P7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
101A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 42.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 2.03mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7144 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
291W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW60R024
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
448-IPW60R024P7XKSA1
SP001866180
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ021N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
IGT40R070D1E8220ATMA1
GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3
C3M0032120K
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
