رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW60R045P7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW60R045P7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 61A (Tc) 201W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
1406 قطع جديدة أصلية في المخزون
13276449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW60R045P7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
61A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1.08mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3891 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
201W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW60R045
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001866186
448-IPW60R045P7XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IAUZ18N10S5L420ATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
IPA126N10NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 39A TO220
IPLK80R750P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
