رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW60R060C7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW60R060C7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
المخزون:
313 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806128
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW60R060C7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 800µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
162W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW60R060
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001385020
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR7740PBF
MOSFET N-CH 75V 87A DPAK
IRLR024NTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
