رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW60R070CFD7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
المخزون:
1513 قطع جديدة أصلية في المخزون
13064163
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW60R070CFD7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ CFD7
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 760µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2721 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-21
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW60R070
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001617990
IPW60R070CFD7
448-IPW60R070CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
