IPW60R299CPFKSA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IPW60R299CPFKSA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IPW60R299CPFKSA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804199
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IPW60R299CPFKSA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 440µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-1
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW60R

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IPW60R299CP
مخططات البيانات
IPW60R299CPFKSA1
ورقة بيانات HTML
IPW60R299CPFKSA1-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
IPW60R299CPXK
ROCINFIPW60R299CPFKSA1
SP000103251
IPW60R299CP
IPW60R299CP-DG
IPW60R299CPX
2156-IPW60R299CPFKSA1-IT

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFPC50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4648
DiGi رقم الجزء
IRFPC50APBF-DG
سعر الوحدة
1.74
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IXFH18N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH18N60P-DG
سعر الوحدة
2.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW18N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
154
DiGi رقم الجزء
STW18N65M5-DG
سعر الوحدة
1.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW18N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
476
DiGi رقم الجزء
STW18N60M2-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW18NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
547
DiGi رقم الجزء
STW18NM60N-DG
سعر الوحدة
3.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRF7459TRPBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

infineon-technologies

IPI80N06S3L06XK

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IPU80R2K8CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

infineon-technologies

IRFB7740PBF

MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB