الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R041CFDFKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R041CFDFKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
المخزون:
3 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805728
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R041CFDFKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
68.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
41mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 3.3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8400 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-1
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R041
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPW65R041CFD
مخططات البيانات
IPW65R041CFDFKSA1
ورقة بيانات HTML
IPW65R041CFDFKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IPW65R041CFDFKSA1-DG
448-IPW65R041CFDFKSA1
IPW65R041CFD
IPW65R041CFD-DG
SP000756288
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW72N60DM2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
STW72N60DM2AG-DG
سعر الوحدة
6.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW77N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
214
DiGi رقم الجزء
STW77N65M5-DG
سعر الوحدة
10.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW78N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW78N65M5-DG
سعر الوحدة
11.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW69N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
485
DiGi رقم الجزء
STW69N65M5-DG
سعر الوحدة
7.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SIHG70N60AEF-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
447
DiGi رقم الجزء
SIHG70N60AEF-GE3-DG
سعر الوحدة
6.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPP07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
IRFL4310TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
IRFSL4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
IRFI4321PBF
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP