رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R110CFDAFKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
المخزون:
240 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803476
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R110CFDAFKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
277.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
2156-IPW65R110CFDAFKSA1
SP000895236
448-IPW65R110CFDAFKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR4105TR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRFBA1404PPBF
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
IPP25N06S325XK
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
