رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R125C7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R125C7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
المخزون:
80 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806090
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R125C7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 440µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1670 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
101W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R125
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-IPW65R125C7XKSA1
INFINFIPW65R125C7XKSA1
SP001080138
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IPP80N04S404AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
