رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R150CFDFKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R150CFDFKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
214 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805288
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R150CFDFKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ CFD2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 900µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2340 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
195.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R150
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
SP001987372
IPW65R150CFDFKSA2-DG
448-IPW65R150CFDFKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPW65R150CFDFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
154
DiGi رقم الجزء
IPW65R150CFDFKSA1-DG
سعر الوحدة
3.14
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXFH50N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
386
DiGi رقم الجزء
IXFH50N60P3-DG
سعر الوحدة
5.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFP22N50APBFXKMA1
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
IRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO262