رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R190CFDFKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R190CFDFKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
278 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822822
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R190CFDFKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ CFD2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
151W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R190
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001987376
IPW65R190CFDFKSA2-DG
448-IPW65R190CFDFKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL3705NPBF
MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
IXFT94N30T
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
IRFU13N15D
MOSFET N-CH 150V 14A IPAK
