رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW80R280P7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW80R280P7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
109 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805741
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW80R280P7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 360µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
101W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW80R280
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-IPW80R280P7XKSA1
SP001422758
IPW80R280P7XKSA1-DG
448-IPW80R280P7XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF1405ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLI540N
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
