رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW80R360P7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW80R360P7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
47 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822727
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW80R360P7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 280µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
930 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
84W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW80R360
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001633520
2156-IPW80R360P7XKSA1-448
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
TN0110N3-G-P002
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
