رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPZ60R099P6FKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPZ60R099P6FKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
المخزون:
222 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802629
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPZ60R099P6FKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
37.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.21mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3330 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-4
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
IPZ60R099
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
SP001313882
2156-IPZ60R099P6FKSA1
ROCINFIPZ60R099P6FKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF3205ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRF6215STRRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRFS3306
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
