رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPZ65R065C7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPZ65R065C7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
المخزون:
235 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807182
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPZ65R065C7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 850µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3020 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
171W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-4
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
IPZ65R065
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-IPZ65R065C7XKSA1
SP001080120
INFINFIPZ65R065C7XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
IRFH8201TRPBF
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
TP2540N3-G-P002
MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
