رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPZA60R099P7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPZA60R099P7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
المخزون:
240 قطع جديدة أصلية في المخزون
13064060
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPZA60R099P7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 530µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1952 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
117W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-4
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
IPZA60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
2156-IPZA60R099P7XKSA1
IFEINFIPZA60R099P7XKSA1
SP001707742
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP80N04S204AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IPP111N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
IRF7580MTRPBF
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
