رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IQD016N08NM5CGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IQD016N08NM5CGATMA1-DG
وصف:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
المخزون:
12943345
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IQD016N08NM5CGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
31A (Ta), 323A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.57mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 159µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9200 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 333W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TTFN-9-U02
العبوة / العلبة
9-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IQD016
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-IQD016N08NM5CGATMA1CT
448-IQD016N08NM5CGATMA1DKR
448-IQD016N08NM5CGATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STO67N60DM6
MOSFET N-CH 600V 33A TOLL